शिवाय, त्यांनी नेचर जर्नलमध्ये प्रकाशित केलेल्या "षटकोनी जर्मेनियम आणि सिलिकॉन-जर्मेनियम मिश्र धातुंमधून थेट बँडगॅप उत्सर्जन" या पेपरमध्ये दर्शविल्याप्रमाणे, ते सक्षम झाले.किरणोत्सर्ग तरंगलांबी विस्तृत श्रेणीवर सतत समायोजित करण्यायोग्य असते.त्यांच्या मते, हे नवीन शोध सिलिकॉन-जर्मेनियम इंटिग्रेटेड सर्किट्समध्ये थेट फोटोनिक चिप्सच्या विकासास अनुमती देऊ शकतात.
SiGe मिश्रधातूंना थेट बँडगॅप उत्सर्जकांमध्ये रूपांतरित करण्याची गुरुकिल्ली म्हणजे षटकोनी जाळीच्या संरचनेसह जर्मेनियम आणि जर्मेनियम-सिलिकॉन मिश्र धातु मिळवणे.टेक्निकल युनिव्हर्सिटी ऑफ आइंडहोव्हनमधील संशोधकांनी, टेक्निकल युनिव्हर्सिटी ऑफ म्युनिक आणि जेना आणि लिंझ विद्यापीठातील सहकाऱ्यांसह, षटकोनी वाढीसाठी टेम्पलेट म्हणून वेगळ्या सामग्रीपासून बनवलेल्या नॅनोवायरचा वापर केला.
नॅनोवायर नंतर जर्मेनियम-सिलिकॉन शेलसाठी टेम्पलेट म्हणून काम करतात ज्यावर अंतर्निहित सामग्री एक षटकोनी क्रिस्टल संरचना लादते.सुरुवातीला, तथापि, या संरचना प्रकाश उत्सर्जित करण्यासाठी उत्तेजित होऊ शकत नाहीत.टेक्निकल युनिव्हर्सिटी ऑफ म्युनिक येथील वॉल्थर स्कॉटकी इन्स्टिट्यूटमधील सहकार्‍यांसोबत विचारांची देवाणघेवाण केल्यानंतर, त्यांनी प्रत्येक पिढीच्या ऑप्टिकल गुणधर्मांचे विश्लेषण केले आणि अखेरीस नॅनोवायर प्रत्यक्षात प्रकाश उत्सर्जित करू शकतील अशा बिंदूपर्यंत उत्पादन प्रक्रियेस अनुकूल केले.
“त्याच वेळी, आम्ही जवळजवळ इंडियम फॉस्फाइड किंवा गॅलियम आर्सेनाइडशी तुलना करता येण्यासारखी कामगिरी साध्य केली आहे,” आइंडहोव्हन युनिव्हर्सिटी ऑफ टेक्नॉलॉजीचे प्रा. एरिक बेकर्स म्हणतात.म्हणून, जर्मेनियम-सिलिकॉन मिश्रधातूंवर आधारित लेसर तयार करणे जे पारंपारिक उत्पादन प्रक्रियेत एकत्रित केले जाऊ शकतात ते केवळ काळाची बाब असू शकते.
"आम्ही ऑप्टिकली अंतर्गत आणि आंतर-चिप इलेक्ट्रॉनिक संप्रेषण प्रदान करू शकलो तर, वेग 1,000 च्या घटकाने वाढविला जाऊ शकतो," TUM मधील सेमीकंडक्टर क्वांटम नॅनोसिस्टम्सचे प्राध्यापक जोनाथन फिनले म्हणाले.लेसर रडार, वैद्यकीय निदानासाठी रासायनिक सेन्सर आणि हवा आणि अन्न गुणवत्ता मोजण्यासाठी चिप्सची संख्या लक्षणीयरीत्या कमी करू शकते.
आमच्या कंपनीने वितळलेले सिलिकॉन जर्मेनियम मिश्र धातु सानुकूलित प्रमाण स्वीकारू शकते
पोस्ट वेळ: जून-21-2023